德國Diener PECVD等離子體化學氣相沉積設備
該PECVD系統可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。主要技術參數：PC控制軟件RF發生器 0~3000W 脈沖模式腔體防腐處理，400*400*1500mm,240L腔體加熱80℃帶觀察窗多路工藝氣體通道，MFC控制 防腐處理HMDSO單體通道易燃易爆氣體安全閥Gas Shower氣浴電極設備外尺寸2000*600*1700mm進口真空泵組電壓 3項400V
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